페이지 인쇄
MJH11022G
Darlington Transistor, Darlington, NPN, 250 V, 150 W, 15 A, TO-218, 3 Pins
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
127 재고
240 지금 제품을 예약하실 수 있습니다
127 3-4 영업일 이내 배송(영국 재고)
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩5,969 |
| 10+ | ₩3,819 |
| 100+ | ₩3,698 |
| 500+ | ₩3,577 |
| 1000+ | ₩3,456 |
가격기준Each
주문 최소수량: 1
주문 배수수량: 1
₩5,969
부품 번호 /라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
이 번호는 주문 확인서, 청구서, 발송장, 웹 확인 이메일, 제품 라벨에 추가됩니다.
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MJH11022G
주문 코드1611190
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo250V
Power Dissipation Pd150W
DC Collector Current15A
RF Transistor CaseTO-218
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE100hFE
Transistor MountingThrough Hole
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The MJH11022G is a 250V NPN Darlington Bipolar Power Transistor designed for use as general purpose amplifiers, low frequency switching and motor control applications. The MJH11021 (PNP) and MJH11022 (NPN) are complementary devices.
- High DC current gain
- 250VDC Minimum collector-emitter sustaining voltage (VCEO(sus))
- Low collector-emitter saturation voltage (VCE (sat))
- Monolithic construction
- 250VDC Collector to base voltage (VCBO)
- 5V Emitter to base voltage (VEBO)
- 30ADC Peak collector current
- 0.5A DC Base current (IB)
- 0.83°C/W Thermal resistance, junction to case
애플리케이션
Industrial, Motor Drive & Control
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Power Dissipation Pd
150W
RF Transistor Case
TO-218
DC Current Gain hFE
100hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
250V
DC Collector Current
15A
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
관련 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.003856