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MJH11022G
Darlington Transistor, Darlington, NPN, 250 V, 150 W, 15 A, TO-218, 3 Pins
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MJH11022G복사
제조업체 표준 리드 타임17주
주문 코드1611190
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo250V
Power Dissipation Pd150W
DC Collector Current15A
RF Transistor CaseTO-218
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE100hFE
Transistor MountingThrough Hole
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The MJH11022G is a 250V NPN Darlington Bipolar Power Transistor designed for use as general purpose amplifiers, low frequency switching and motor control applications. The MJH11021 (PNP) and MJH11022 (NPN) are complementary devices.
- High DC current gain
- 250VDC Minimum collector-emitter sustaining voltage (VCEO(sus))
- Low collector-emitter saturation voltage (VCE (sat))
- Monolithic construction
- 250VDC Collector to base voltage (VCBO)
- 5V Emitter to base voltage (VEBO)
- 30ADC Peak collector current
- 0.5A DC Base current (IB)
- 0.83°C/W Thermal resistance, junction to case
애플리케이션
Industrial, Motor Drive & Control
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Power Dissipation Pd
150W
RF Transistor Case
TO-218
DC Current Gain hFE
100hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
250V
DC Collector Current
15A
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.003856