페이지 인쇄
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MMBT2907AWT1G
주문 코드2317593RL
Product RangeMMBTxxxx
기술 데이터 시트
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max60V
Continuous Collector Current600mA
Power Dissipation150mW
Transistor Case StyleSOT-323
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency200MHz
DC Current Gain hFE Min50hFE
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMMBTxxxx
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The MMBT2907AWT1G is a PNP Bipolar Transistor designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the package which is designed for low power surface-mount applications.
- Halogen-free
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
애플리케이션
Industrial, Power Management, Automotive
기술 사양
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
600mA
Transistor Case Style
SOT-323
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
50hFE
Product Range
MMBTxxxx
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
60V
Power Dissipation
150mW
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
200MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
MMBT2907AWT1G의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000006