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MMBT5087LT1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, PNP, 50 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MMBT5087LT1G
주문 코드1459106RL
Product RangeMMBTxxxx
기술 데이터 시트
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max50V
Continuous Collector Current50mA
Power Dissipation225mW
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency40MHz
DC Current Gain hFE Min40hFE
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMMBTxxxx
QualificationAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The MMBT5087LT1G is a PNP Bipolar Transistor designed for high gain and low noise general purpose amplifier applications. The device is housed in the package which is designed for lower power surface-mount applications.
- Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
- Saves board space
애플리케이션
Industrial, Power Management
기술 사양
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
50mA
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
40hFE
Product Range
MMBTxxxx
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
50V
Power Dissipation
225mW
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
40MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
MMBT5087LT1G의 대체 제품
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관련 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.08