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MMBT5551LT1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MMBT5551LT1G
주문 코드2317831
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max160V
Continuous Collector Current600mA
Power Dissipation225mW
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency-
DC Current Gain hFE Min30hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The MMBT5551LT1G is a NPN Silicon High Voltage Transistor designed for requiring unique site and control change requirements. This transistor is PPAP capable and AEC-Q101 qualified.
- Halogen-free
애플리케이션
Automotive, Industrial
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
600mA
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
30hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
160V
Power Dissipation
225mW
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
MMBT5551LT1G의 대체 제품
2개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000033