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MMBT589LT1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, Low VCE(Sat), PNP, 30 V, 1 A, 310 mW, SOT-23, Surface Mount
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MMBT589LT1G
주문 코드2441377
기술 데이터 시트
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max30V
Continuous Collector Current1A
Power Dissipation310mW
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency100MHz
DC Current Gain hFE Min40hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
MMBT589LT1G is a high current surface mount PNP silicon switching transistor for load management in portable applications.
- Collector-emitter voltage is -30VDC max (TA = 25°C)
- Collector-base voltage is -50VDC max (TA = 25°C)
- Emitter-base voltage is -5.0VDC max (TA = 25°C)
- Collector current - continuous is -1.0ADC max (TA = 25°C)
- Collector current - peak is -2.0A max (TA = 25°C)
- Total Device Dissipation FR-5 Board is 310mW max (TA = 25°C)
- Thermal resistance junction-to-ambient is 403°C/W max (TA = 25°C)
- Cutoff frequency is 100mHz min (IC = -100mA, VCE = -5.0V, f = 100MHz, TA = 25°C)
- SOT-23 package
- Junction temperature range from -55 to +150°C
기술 사양
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
1A
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
40hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
30V
Power Dissipation
310mW
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
100MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
MMBT589LT1G의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001