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MMBT918LT1G
Bipolar - RF Transistor, General Purpose, NPN, 15 V, 600 MHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MMBT918LT1G
주문 코드2441383
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max15V
Transition Frequency600MHz
Power Dissipation225mW
Continuous Collector Current50mA
Transistor Case StyleSOT-23
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE Min20hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The MMBT918LT1G is a NPN Bipolar Transistor designed for general purpose VHF/UHF applications and is housed in the surface-mount package. This device is ideal for low-power surface-mount applications.
- Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
- Saves board space
애플리케이션
Industrial, Power Management
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Transition Frequency
600MHz
Continuous Collector Current
50mA
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
15V
Power Dissipation
225mW
Transistor Case Style
SOT-23
DC Current Gain hFE Min
20hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
MMBT918LT1G의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001