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MMUN2111LT1G
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, Single PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MMUN2111LT1G
주문 코드9556702RL
기술 데이터 시트
Transistor PolaritySingle PNP
Digital Transistor PolaritySingle PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo50V
Collector Emitter Voltage Max NPN-
Continuous Collector Current Ic100mA
Collector Emitter Voltage Max PNP50V
Continuous Collector Current100mA
Base Input Resistor R110kohm
Base Emitter Resistor R210kohm
Resistor Ratio, R1 / R21(Ratio)
Transistor Case StyleSOT-23
RF Transistor CaseSOT-23
No. of Pins3 Pin
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation400mW
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min35hFE
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
애플리케이션
Industrial, Power Management
기술 사양
Transistor Polarity
Single PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
50V
Continuous Collector Current Ic
100mA
Continuous Collector Current
100mA
Base Emitter Resistor R2
10kohm
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3 Pin
Power Dissipation
400mW
DC Current Gain hFE Min
35hFE
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Digital Transistor Polarity
Single PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN
-
Collector Emitter Voltage Max PNP
50V
Base Input Resistor R1
10kohm
Resistor Ratio, R1 / R2
1(Ratio)
RF Transistor Case
SOT-23
Transistor Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000033