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MMUN2235LT1G
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MMUN2235LT1G
주문 코드2985345
기술 데이터 시트
Transistor PolaritySingle NPN
Digital Transistor PolaritySingle NPN
Collector Emitter Voltage Max NPN50V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo50V
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Continuous Collector Current Ic100mA
Continuous Collector Current100mA
Base Input Resistor R12.2kohm
Base Emitter Resistor R247kohm
Resistor Ratio, R1 / R20.047(Ratio)
RF Transistor CaseSOT-23
Transistor Case StyleSOT-23
No. of Pins3 Pin
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation400mW
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min80hFE
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
기술 사양
Transistor Polarity
Single NPN
Collector Emitter Voltage Max NPN
50V
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Continuous Collector Current
100mA
Base Emitter Resistor R2
47kohm
RF Transistor Case
SOT-23
No. of Pins
3 Pin
Power Dissipation
400mW
DC Current Gain hFE Min
80hFE
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Digital Transistor Polarity
Single NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
50V
Continuous Collector Current Ic
100mA
Base Input Resistor R1
2.2kohm
Resistor Ratio, R1 / R2
0.047(Ratio)
Transistor Case Style
SOT-23
Transistor Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000002