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MUN5333DW1T1G
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, NPN and PNP Complement, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MUN5333DW1T1G
주문 코드2630310
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN and PNP Complement
Digital Transistor PolarityNPN and PNP Complement
Collector Emitter Voltage V(br)ceo50V
Collector Emitter Voltage Max NPN50V
Continuous Collector Current Ic100mA
Collector Emitter Voltage Max PNP50V
Continuous Collector Current100mA
Base Input Resistor R14.7kohm
Base Emitter Resistor R247kohm
Resistor Ratio, R1 / R20.1(Ratio)
Transistor Case StyleSOT-363
RF Transistor CaseSOT-363
No. of Pins6 Pin
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation385mW
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min80hFE
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
기술 사양
Transistor Polarity
NPN and PNP Complement
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
50V
Continuous Collector Current Ic
100mA
Continuous Collector Current
100mA
Base Emitter Resistor R2
47kohm
Transistor Case Style
SOT-363
No. of Pins
6 Pin
Power Dissipation
385mW
DC Current Gain hFE Min
80hFE
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Digital Transistor Polarity
NPN and PNP Complement
Collector Emitter Voltage Max NPN
50V
Collector Emitter Voltage Max PNP
50V
Base Input Resistor R1
4.7kohm
Resistor Ratio, R1 / R2
0.1(Ratio)
RF Transistor Case
SOT-363
Transistor Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
MUN5333DW1T1G의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00004