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NDT456P
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 7.3 A, 0.03 ohm, SOT-223, Surface Mount
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩1,620 | ₩8,100 |
| 총계 가격 | ₩8,100 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩1,620 |
| 50+ | ₩1,613 |
| 250+ | ₩1,606 |
| 1000+ | ₩1,599 |
| 2000+ | ₩1,591 |
풀릴
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 4000+ | ₩999 |
| 12000+ | ₩980 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NDT456P복사
제조업체 표준 리드 타임15주
주문 코드
풀릴2438494
리릴링9846190RL
컷 테이프9846190
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id7.3A
Drain Source On State Resistance0.03ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation3W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The NDT456P is a P-channel logic level enhancement mode Field Effect Transistor using high cell density, DMOS technology. This very high density process has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance.
- High density cell design for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
- ±20V Gate-source voltage
애플리케이션
Power Management, Motor Drive & Control
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
7.3A
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.03ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000272