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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NJT4030PT1G
주문 코드2441915
기술 데이터 시트
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max40V
Continuous Collector Current3A
Power Dissipation2W
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins4Pins
Transition Frequency160MHz
DC Current Gain hFE Min100hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
The NJT4030PT1G is a 3A bipolar PNP Power Transistor ideal device for high speed switching applications where power saving is a concern. It is the combination of low saturation voltage and high gain.
- Low collector-emitter saturation voltage
- High DC current gain
- High current-gain bandwidth product
- Halogen-free
- Minimized power loss
- Very low current requirements
- Ideal for high frequency designs
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
애플리케이션
Industrial, Power Management, Automotive
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
3A
Transistor Case Style
SOT-223
No. of Pins
4Pins
DC Current Gain hFE Min
100hFE
Product Range
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Collector Emitter Voltage Max
40V
Power Dissipation
2W
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
160MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
NJT4030PT1G의 대체 제품
3개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001