페이지 인쇄
NSS60101DMTTBG
Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 60 V, 1 A, 2.27 W
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NSS60101DMTTBG
주문 코드2728020
기술 데이터 시트
Transistor PolarityDual NPN
Collector Emitter Voltage Max NPN60V
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Continuous Collector Current NPN1A
Continuous Collector Current PNP-
Power Dissipation NPN2.27W
Power Dissipation PNP-
DC Current Gain hFE Min NPN35hFE
DC Current Gain hFE Min PNP-
Transistor Case StyleWDFN
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN180MHz
Transition Frequency PNP-
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
기술 사양
Transistor Polarity
Dual NPN
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Continuous Collector Current PNP
-
Power Dissipation PNP
-
DC Current Gain hFE Min PNP
-
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
-
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Collector Emitter Voltage Max NPN
60V
Continuous Collector Current NPN
1A
Power Dissipation NPN
2.27W
DC Current Gain hFE Min NPN
35hFE
Transistor Case Style
WDFN
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
180MHz
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.004536