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NSS60600MZ4T1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 60 V, 6 A, 2 W, SOT-223, Surface Mount
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NSS60600MZ4T1G
주문 코드2317597
기술 데이터 시트
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max60V
Continuous Collector Current6A
Power Dissipation2W
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins4Pins
Transition Frequency100MHz
DC Current Gain hFE Min70hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (27-Jun-2024)
제품 개요
The NSS60600MZ4T1G is a 6A PNP Bipolar Transistor ideal for high speed switching applications where power saving is a concern. It is a combination of low saturation voltage and high gain.
- Low collector-emitter saturation voltage
- Minimized power loss
- High DC current gain
- Very low current requirements
- High current-gain bandwidth product
- Ideal for high frequency designs
- Superior gain linearity
- Minimal distortion
- Halogen-free
- AECQ101 qualified and PPAP capable
애플리케이션
Industrial, Power Management, Automotive, Portable Devices, Motor Drive & Control, Computers & Computer Peripherals
기술 사양
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
6A
Transistor Case Style
SOT-223
No. of Pins
4Pins
DC Current Gain hFE Min
70hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
60V
Power Dissipation
2W
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
100MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
NSS60600MZ4T1G의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000295