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NSVF6003SB6T1G
Bipolar - RF Transistor, NPN, 12 V, 7 GHz, 800 mW, 150 mA, CPH
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NSVF6003SB6T1G
주문 코드2775449
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max12V
Transition Frequency7GHz
Power Dissipation800mW
Continuous Collector Current150mA
Transistor Case StyleCPH
No. of Pins6Pins
DC Current Gain hFE Min100hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Transition Frequency
7GHz
Continuous Collector Current
150mA
No. of Pins
6Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
12V
Power Dissipation
800mW
Transistor Case Style
CPH
DC Current Gain hFE Min
100hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0003