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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NTA4151PT1G
주문 코드2317622
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id760mA
Drain Source On State Resistance0.36ohm
Transistor Case StyleSC-75
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max450mV
Power Dissipation301mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
The NTA4151PT1G is a P-channel Small Signal MOSFET offers -20V drain source voltage and -760A continuous drain current. It is suitable for high side load switch, DC-to-DC conversion, small drive circuits, battery operated systems such as cell phones, PDAs and digital cameras.
- Low RDS (ON) for higher efficiency and longer battery life
- Small outline package
- Standard gullwing package
- ESD protected gate
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
애플리케이션
Power Management, Consumer Electronics, Computers & Computer Peripherals, Industrial
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
760mA
Transistor Case Style
SC-75
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
301mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.36ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
450mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0025