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수량 | 가격 |
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10+ | ₩254 |
100+ | ₩198 |
500+ | ₩93 |
3000+ | ₩88 |
9000+ | ₩83 |
24000+ | ₩78 |
45000+ | ₩72 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NTA4153NT1G
주문 코드2317621
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id915mA
Drain Source On State Resistance0.23ohm
Transistor Case StyleSC-75
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max760mV
Power Dissipation300mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The NTA4153NT1G is a N-channel Small Signal MOSFET with ESD protected gate. It is suitable for load/power switches, power supply converter circuits, battery management, portables like cell phones, PDAs, digital cameras and pagers.
- Low RDS (ON) improving system efficiency
- 1.5V Rated low threshold voltage
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
애플리케이션
Power Management, Consumer Electronics, Computers & Computer Peripherals, Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
915mA
Transistor Case Style
SC-75
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
300mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.23ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
760mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0025