페이지 인쇄
NTHL067N65S3H
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 40 A, 0.055 ohm, TO-247, Through Hole
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
148 재고
더 필요하세요?
148 3-4 영업일 이내 배송(영국 재고)
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩8,195 |
| 5+ | ₩7,861 |
| 10+ | ₩7,527 |
| 50+ | ₩7,192 |
| 100+ | ₩7,023 |
가격기준Each
주문 최소수량: 1
주문 배수수량: 1
₩8,195
부품 번호 /라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
이 번호는 주문 확인서, 청구서, 발송장, 웹 확인 이메일, 제품 라벨에 추가됩니다.
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NTHL067N65S3H
주문 코드3677720
Product RangeSUPERFET III
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source On State Resistance0.055ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation266W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSUPERFET III
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
40A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
266W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.055ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
SUPERFET III
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0003