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RFD14N05SM9A
Power MOSFET, N Channel, 50 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252AA, Surface Mount
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호RFD14N05SM9A
주문 코드2454076
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds50V
Continuous Drain Current Id14A
Drain Source On State Resistance0.1ohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation48W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
제품 개요
The RFD14N05SM9A is a N-channel Power MOSFET manufactured using the MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits, gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. It is designed for use in applications such as switching regulators, switching converters and relay drivers. These transistors can be operated directly from integrated circuits. Formerly developmental type TA09770.
- Temperature compensating PSPICE® model
- Peak current vs. pulse width curve
- UIS Rating curve
애플리케이션
Power Management, Motor Drive & Control, Industrial
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
14A
Transistor Case Style
TO-252AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
48W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
50V
Drain Source On State Resistance
0.1ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000556