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SMMBT3904LT1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호SMMBT3904LT1G
주문 코드2533347
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max40V
Continuous Collector Current200mA
Power Dissipation300mW
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency300MHz
DC Current Gain hFE Min300hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
SMMBT3904LT1G is a NPN general purpose transistor in a 3 pin SOT-23 package.
- Collector-emitter voltage is 40VDC
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
- Collector current - continuous is 200mA DC
- Collector-base voltage VCBO is 60VDC, emitter-base voltage VEBO is 6.0VDC
- Collector-emitter breakdown voltage (IC = 1.0mAdc, IB = 0) is 40V
- Current gain bandwidth product (IC = 10mAdc, VCE = 20Vdc, f = 100MHz) is 300MHz
- Noise figure (VCE = 5.0Vdc, IC = 100Adc, RS = 1Kohms, f = 1.0KHz) is 5.0dB
- Collector cutoff current (VCE = 30 Vdc, VEB = 3.0 Vdc) is 50nAdc
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
200mA
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
300hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
40V
Power Dissipation
300mW
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
300MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000363