페이지 인쇄
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호SMMBT3904LT1G
주문 코드2533347
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max40V
Continuous Collector Current200mA
Power Dissipation300mW
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency300MHz
DC Current Gain hFE Min300hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
SMMBT3904LT1G is a NPN general purpose transistor in a 3 pin SOT-23 package.
- Collector-emitter voltage is 40VDC
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
- Collector current - continuous is 200mA DC
- Collector-base voltage VCBO is 60VDC, emitter-base voltage VEBO is 6.0VDC
- Collector-emitter breakdown voltage (IC = 1.0mAdc, IB = 0) is 40V
- Current gain bandwidth product (IC = 10mAdc, VCE = 20Vdc, f = 100MHz) is 300MHz
- Noise figure (VCE = 5.0Vdc, IC = 100Adc, RS = 1Kohms, f = 1.0KHz) is 5.0dB
- Collector cutoff current (VCE = 30 Vdc, VEB = 3.0 Vdc) is 50nAdc
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
200mA
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
300hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
40V
Power Dissipation
300mW
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
300MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
SMMBT3904LT1G의 대체 제품
3개 제품을 찾았습니다.
관련 제품
2개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000363