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2N5551BU
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 160 V, 600 mA, 1.5 W, TO-92, Through Hole
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩404 |
| 10+ | ₩248 |
| 100+ | ₩155 |
| 500+ | ₩108 |
| 1000+ | ₩90 |
| 5000+ | ₩89 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호2N5551BU복사
제조업체 표준 리드 타임50주
주문 코드9846751
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max160V
Continuous Collector Current600mA
Power Dissipation1.5W
Transistor Case StyleTO-92
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency300MHz
DC Current Gain hFE Min80hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The 2N5551 is a through hole, NPN general purpose amplifier in TO-92 package. This device is designed for general purpose high voltage amplifiers and gas discharge display drivers.
- Collector to emitter breakdown voltage of 160V
- Collector to emitter saturation voltage of 200mV at 50mA collector current
- Power dissipation of 625mW
- DC collector current of 600mA
- DC current gain of 30 at Ic=50mA
- Operating junction temperature range from -55°C to 150°C
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
600mA
Transistor Case Style
TO-92
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
80hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
160V
Power Dissipation
1.5W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
300MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
2N5551BU의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Great Britain
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Great Britain
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000257