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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호2N7002LT1G
주문 코드2440761
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id115mA
Drain Source On State Resistance7.5ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation300mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The 2N7002LT1G is a 60V N-channel small signal MOSFET capable of 300mW power dissipation and 115mA continuous drain current.
- Halogen-free/BFR-free
- ±20VDC Gate to source voltage
- 60VDC Drain to gate voltage
- 417°C/W Thermal resistance, junction to ambient
애플리케이션
Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
115mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300mW
Operating Temperature Max
150°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
7.5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
2N7002LT1G의 대체 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000185