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BC857CDW1T1G
Bipolar Transistor Array, PNP, 45 V, 100 mA
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호BC857CDW1T1G
주문 코드2464067RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max NPN-
Collector Emitter Voltage Max45V
Continuous Collector Current100mA
Collector Emitter Voltage Max PNP45V
Power Dissipation380mW
Continuous Collector Current NPN-
Continuous Collector Current PNP100mA
Power Dissipation NPN-
Power Dissipation PNP250mW
DC Current Gain hFE Min NPN-
DC Current Gain hFE Min PNP420hFE
DC Current Gain hFE Min270hFE
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN-
Transition Frequency PNP100MHz
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The BC857CDW1T1G is a dual PNP general purpose Bipolar Transistor designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the package which is designed for low power surface-mount applications.
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
애플리케이션
Industrial, Power Management, Automotive
기술 사양
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage Max
45V
Collector Emitter Voltage Max PNP
45V
Continuous Collector Current NPN
-
Power Dissipation NPN
-
DC Current Gain hFE Min NPN
-
DC Current Gain hFE Min
270hFE
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
100MHz
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Collector Emitter Voltage Max NPN
-
Continuous Collector Current
100mA
Power Dissipation
380mW
Continuous Collector Current PNP
100mA
Power Dissipation PNP
250mW
DC Current Gain hFE Min PNP
420hFE
Transistor Case Style
SOT-363
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001