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ECH8695R-TL-W
Dual MOSFET, N Channel, 24 V, 24 V, 11 A, 11 A, 0.007 ohm
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호ECH8695R-TL-W
주문 코드2774833RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds24V
Drain Source Voltage Vds N Channel24V
Continuous Drain Current Id11A
Drain Source Voltage Vds P Channel24V
On Resistance Rds(on)0.007ohm
Continuous Drain Current Id N Channel11A
Continuous Drain Current Id P Channel11A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.007ohm
Rds(on) Test Voltage4.5V
Drain Source On State Resistance P Channel0.007ohm
Transistor Case StyleSOT-28FL
Gate Source Threshold Voltage Max1.3V
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd1.4W
Power Dissipation N Channel1.4W
Power Dissipation P Channel1.4W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (27-Jun-2024)
기술 사양
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
24V
Continuous Drain Current Id
11A
On Resistance Rds(on)
0.007ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
11A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.007ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.007ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
1.3V
Power Dissipation Pd
1.4W
Power Dissipation P Channel
1.4W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
24V
Drain Source Voltage Vds P Channel
24V
Continuous Drain Current Id N Channel
11A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SOT-28FL
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
1.4W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000071