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FCD1300N80Z
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 4 A, 1.05 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FCD1300N80Z
주문 코드3253669RL
Product RangeSuperFET II
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source On State Resistance1.05ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation52W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSuperFET II
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
제품 개요
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
52W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
1.05ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
SuperFET II
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
FCD1300N80Z의 대체 제품
3개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0018