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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDC640P
주문 코드2323162
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id4.5A
Drain Source On State Resistance0.053ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation1.6W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
The FDC640P is a 2.5V specified P-channel MOSFET uses a rugged gate version of advanced PowerTrench® process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (2.5 to 12V).
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
4.5A
Transistor Case Style
SuperSOT
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.053ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
FDC640P의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000043