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FDMD8680
Dual MOSFET, PowerTrench, N Channel, 80 V, 80 V, 66 A, 66 A, 3300 µohm
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDMD8680
주문 코드2617742RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel80V
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id66A
Drain Source Voltage Vds P Channel80V
Continuous Drain Current Id N Channel66A
On Resistance Rds(on)0.0033ohm
Continuous Drain Current Id P Channel66A
Drain Source On State Resistance N Channel3300µohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Drain Source On State Resistance P Channel3300µohm
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Transistor Case StylePQFN
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd39W
Power Dissipation N Channel39W
Power Dissipation P Channel39W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCLead (23-Jan-2024)
기술 사양
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
80V
Continuous Drain Current Id
66A
Continuous Drain Current Id N Channel
66A
Continuous Drain Current Id P Channel
66A
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
3300µohm
Transistor Case Style
PQFN
Power Dissipation Pd
39W
Power Dissipation P Channel
39W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source Voltage Vds P Channel
80V
On Resistance Rds(on)
0.0033ohm
Drain Source On State Resistance N Channel
3300µohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
39W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000378