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FDMS4D0N12C
Power MOSFET, N Channel, 120 V, 114 A, 4400 µohm, QFN, Surface Mount
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDMS4D0N12C
주문 코드2895643RL
Product RangePowerTrench
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds120V
Continuous Drain Current Id114A
Drain Source On State Resistance4400µohm
Transistor Case StyleQFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation106W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangePowerTrench
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
114A
Transistor Case Style
QFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
106W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
120V
Drain Source On State Resistance
4400µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
PowerTrench
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0001