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FDN359AN
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SOT-23, Surface Mount
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩833 | ₩4,165 |
| 총계 가격 | ₩4,165 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩833 |
| 50+ | ₩686 |
| 100+ | ₩537 |
| 500+ | ₩369 |
| 1500+ | ₩362 |
풀릴
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 3000+ | ₩382 |
| 9000+ | ₩375 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDN359AN복사
제조업체 표준 리드 타임22주
주문 코드
풀릴2985377
리릴링9845372RL
컷 테이프9845372
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id2.7A
Drain Source On State Resistance0.046ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The FDN359AN is a N-channel logic level MOSFET uses advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. Suitable for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.
- Very fast switching
- Low gate charge
애플리케이션
Power Management
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.7A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.046ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000091