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FDS86141
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 7 A, 0.019 ohm, SOIC, Surface Mount
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDS86141
주문 코드2083337RL
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id7A
Drain Source On State Resistance0.019ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.1V
Power Dissipation5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
The FDS86141 is a N-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench™ process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance.
- Low-profile
- 100% UIL tested
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
7A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.019ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.1V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0005