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FDS8813NZ
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 18.5 A, 4500 µohm, SOIC, Surface Mount
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩2,233 |
| 10+ | ₩1,574 |
| 100+ | ₩1,165 |
| 500+ | ₩1,032 |
| 1000+ | ₩870 |
| 5000+ | ₩860 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDS8813NZ
주문 코드2453425
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id18.5A
Drain Source On State Resistance4500µohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
FDS8813NZ의 대체 제품
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제품 개요
The FDS8813NZ is a N-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance. It is well suited for load switching applications common in portable battery packs.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
- 5.6kV Typical HBM ESD protection level
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
18.5A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
4500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000187