페이지 인쇄
FGA25N120ANTDTU
IGBT, 25 A, 2.5 V, 312 W, 1.2 kV, TO-3P, 3 Pins
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FGA25N120ANTDTU
주문 코드1095025
기술 데이터 시트
Continuous Collector Current25A
Collector Emitter Saturation Voltage2.5V
Power Dissipation312W
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor Case StyleTO-3P
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
MSL-
SVHCLead (17-Jan-2022)
제품 개요
The FGA25N120ANTD is a 1200V, 25A NPT Trench IGBT in through hole TO-3P package. IGBT offers superior conduction, switching performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. This device is well suited for the resonant or soft switching application.
- Collector emitter voltage VCES is 1.2KV
- Collector current at 25°C is 50A
- Diode continuous forward current at 25°C is 50A
- Operating junction temperature range from - 55°C to 150°C
- Maximum power dissipation at 25°C is 312W
- Collector to emitter saturation voltage is 2.65V at IC = 50 A
- Maximum diode forward voltage is 3V at IF = 25A
- Diode peak reverse recovery current is 40A
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Continuous Collector Current
25A
Power Dissipation
312W
Transistor Case Style
TO-3P
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead (17-Jan-2022)
Collector Emitter Saturation Voltage
2.5V
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
MSL
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (17-Jan-2022)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.005433