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FJP13009H2TU
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 400 V, 12 A, 100 W, TO-220, Through Hole
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩3,245 |
| 10+ | ₩1,971 |
| 100+ | ₩1,704 |
| 500+ | ₩1,411 |
| 1000+ | ₩1,407 |
| 5000+ | ₩1,403 |
가격기준Each
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FJP13009H2TU
주문 코드1700664
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max400V
Continuous Collector Current12A
Power Dissipation100W
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency4MHz
DC Current Gain hFE Min8hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
제품 개요
The FJP13009H2TU is a high voltage fast-switching NPN epitaxial planar Power Transistor. The FJP13009H2TU is available with multiple hFE bin classes for ease of design use. Designed for high speed switching applications and offers excellent power dissipation.
- High voltage capability
- High switching speed
- 700V Collector-base voltage
- 9V Emitter-base voltage
- 6A Base current
애플리케이션
Lighting, Power Management, Motor Drive & Control
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
12A
Transistor Case Style
TO-220
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
8hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
400V
Power Dissipation
100W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
4MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00204