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FQT7N10LTF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 1.7 A, 0.35 ohm, SOT-223, Surface Mount
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩1,734 | ₩1,734 |
| 총계 가격 | ₩1,734 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩1,734 |
| 10+ | ₩1,233 |
| 100+ | ₩865 |
| 500+ | ₩725 |
| 1000+ | ₩430 |
| 5000+ | ₩422 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FQT7N10LTF복사
제조업체 표준 리드 타임47주
주문 코드
리릴링2101412RL
컷 테이프2101412
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id1.7A
Drain Source On State Resistance0.35ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation2W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (25-Jun-2025)
FQT7N10LTF의 대체 제품
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제품 개요
The FQT7N10LTF is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.
- 100% avalanche tested
- 5.8nC typical low gate charge
- 10pF typical low Crss
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.7A
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.35ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
-
기술 문서 (2)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000211