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HUF75639G3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 56 A, 0.025 ohm, TO-247, Through Hole
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|---|---|
| 1+ | ₩5,924 |
| 10+ | ₩3,203 |
| 100+ | ₩2,622 |
| 500+ | ₩2,548 |
| 1000+ | ₩2,474 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호HUF75639G3
주문 코드1700609
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id56A
Drain Source On State Resistance0.025ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation200W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
제품 개요
- Temperature compensated PSPICE®/SABER™ electrical, SPICE & SABER thermal impedance simulation models
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
56A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
200W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.025ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.005