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MGSF1N03LT1G
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 2.1 A, 0.1 ohm, SOT-23, Surface Mount
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MGSF1N03LT1G
주문 코드2442038
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id2.1A
Drain Source On State Resistance0.1ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation730mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The MGSF1N03LT1G is a N-channel miniature surface-mount Power MOSFET with low RDS (ON) assure minimal power loss and conserve energy. The device is ideal for use in space sensitive power management circuitry. It is suitable for DC-to-DC converters, power management in portable and battery-powered products such as printers, PCMCIA cards, cellular and cordless telephones.
- Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
- Miniature surface-mount package saves board space
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
애플리케이션
Portable Devices, Consumer Electronics, Power Management, Computers & Computer Peripherals, Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.1A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
730mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.1ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
MGSF1N03LT1G의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001