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MJD5731T4G
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 350 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MJD5731T4G
주문 코드2535627RL
Product RangeMJxxxx
기술 데이터 시트
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max350V
Continuous Collector Current1A
Power Dissipation15W
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency10MHz
DC Current Gain hFE Min10hFE
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMJxxxx
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (27-Jun-2024)
기술 사양
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
1A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
10hFE
Product Range
MJxxxx
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
350V
Power Dissipation
15W
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
10MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000426