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MMBT3906LT1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MMBT3906LT1G
주문 코드1459103RL
Product RangeMMBTxxxx
기술 데이터 시트
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max40V
Continuous Collector Current200mA
Power Dissipation225mW
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency250MHz
DC Current Gain hFE Min300hFE
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMMBTxxxx
QualificationAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
제품 개요
MMBT3906LT1G is a PNP silicon general purpose transistor in a 3 pin SOT-23 package.
- Collector-emitter voltage is -40VDC
- Collector-base voltage is -40VDC
- Collector current - continuous is -200mA DC
- Total device dissipation is a 225mW
- Junction and storage temperature is -65 to +150°C
- 60 minimum DC current gain (IC = -0.1mAdc, VCE = -1.0Vdc)
- 250MHz typical current-gain bandwidth product (IC = -10mAdc, VCE = -20Vdc, f = 100MHz)
기술 사양
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
200mA
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
300hFE
Product Range
MMBTxxxx
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
40V
Power Dissipation
225mW
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
250MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.09