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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NDT454P
주문 코드1467998RL
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id5.9A
Drain Source On State Resistance0.05ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation3W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
The NDT454P is a -30V P-channel enhancement mode Field Effect Transistor produced using high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. This device is particularly suited for low voltage applications such as notebook computer power management and other battery powered circuits where fast switching, low in-line power loss and resistance to transients are needed. This product is general usage and suitable for many different applications.
- High power and current handling capability
애플리케이션
Power Management, Consumer Electronics
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
5.9A
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2020)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.05ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2020)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000284