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NGTB40N120S3WG
IGBT, 160 A, 1.7 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩9,192 |
| 10+ | ₩7,290 |
| 100+ | ₩5,881 |
| 500+ | ₩5,533 |
| 1000+ | ₩4,909 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NGTB40N120S3WG
주문 코드2723793
기술 데이터 시트
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
제품 개요
The NGTB40N120S3WG features a robust and cost effective Ultra Field Stop trench construction that provides superior performance in demanding switching applications, offering low switching losses. This IGBT is well suited to applications requiring fast switching with low forward voltage diodes, such as phase-shifted full bridge configurations. Built in free wheeling diode with a low forward voiltage.
- Extremely efficient trench with Field Stop Technology
- 175°C max operating temperature
- Optimised for high speed siwtching
- Low forward voltage reverse diode
애플리케이션
Power Supplies, Motor Drive & Control
기술 사양
Transistor Case Style
TO-247
Product Range
-
Transistor Mounting
Through Hole
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00002