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NSS40302PDR2G
Bipolar Transistor Array, Complementary NPN and PNP, 40 V, 40 V, 3 A, 3 A, 783 mW
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NSS40302PDR2G
주문 코드2774845RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityComplementary NPN and PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo40V
Collector Emitter Voltage Max NPN40V
Collector Emitter Voltage Max PNP40V
DC Collector Current3A
Power Dissipation Pd783mW
Continuous Collector Current NPN3A
DC Current Gain hFE200hFE
Continuous Collector Current PNP3A
Power Dissipation NPN783mW
Power Dissipation PNP783mW
DC Current Gain hFE Min NPN200hFE
DC Current Gain hFE Min PNP200hFE
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN100MHz
Transition Frequency PNP100MHz
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
기술 사양
Transistor Polarity
Complementary NPN and PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN
40V
DC Collector Current
3A
Continuous Collector Current NPN
3A
Continuous Collector Current PNP
3A
Power Dissipation PNP
783mW
DC Current Gain hFE Min PNP
200hFE
No. of Pins
8Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
100MHz
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
40V
Collector Emitter Voltage Max PNP
40V
Power Dissipation Pd
783mW
DC Current Gain hFE
200hFE
Power Dissipation NPN
783mW
DC Current Gain hFE Min NPN
200hFE
Transistor Case Style
SOIC
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
100MHz
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0001