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NST45010MW6T1G
Bipolar Transistor Array, Dual PNP, 45 V, 100 mA
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NST45010MW6T1G
주문 코드2533395RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityDual PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo-45V
Collector Emitter Voltage Max NPN-
Collector Emitter Voltage Max PNP45V
DC Collector Current-100mA
Power Dissipation Pd380mW
Continuous Collector Current NPN-
Continuous Collector Current PNP100mA
DC Current Gain hFE220hFE
Power Dissipation NPN-
Power Dissipation PNP380mW
DC Current Gain hFE Min NPN-
DC Current Gain hFE Min PNP220hFE
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN-
Transition Frequency PNP100MHz
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
기술 사양
Transistor Polarity
Dual PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN
-
DC Collector Current
-100mA
Continuous Collector Current NPN
-
DC Current Gain hFE
220hFE
Power Dissipation PNP
380mW
DC Current Gain hFE Min PNP
220hFE
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
100MHz
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
-45V
Collector Emitter Voltage Max PNP
45V
Power Dissipation Pd
380mW
Continuous Collector Current PNP
100mA
Power Dissipation NPN
-
DC Current Gain hFE Min NPN
-
Transistor Case Style
SOT-363
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
-
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000016