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NTB011N15MC
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 75.4 A, 0.0087 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NTB011N15MC
주문 코드3787290RL
Product RangePowerTrench
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id75.4A
Drain Source On State Resistance0.0087ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation136.4W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangePowerTrench
Qualification-
제품 개요
150V, 75.4A N-channel shielded gate PowerTrench® MOSFET is typically used in synchronous rectification for ATX / server / telecom PSU, motor drives, uninterruptible power supplies and micro solar inverters.
- Shielded gate MOSFET technology, optimized switching performance
- Max RDS(on) = 10.9mohm at VGS = 10V, ID = 75.4A
- Industry’s lowest Qrr and softest body-diode for superior low noise switching
- 50% lower Qrr than other MOSFET suppliers
- High efficiency with lower switching spike and EMI
- Lowers switching noise/EMI, improved switching FOM particularly Qgd
- 100% UIL tested
- No need or less snubber
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
75.4A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
136.4W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.0087ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
PowerTrench
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0001