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NTBG015N065SC1
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 145 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK)
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NTBG015N065SC1
주문 코드3766197RL
Product RangeEliteSiC Series
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id145A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.012ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation500W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (27-Jun-2024)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
145A
Drain Source On State Resistance
0.012ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
500W
Product Range
EliteSiC Series
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0004