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NTD5865NLT4G
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 46 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NTD5865NLT4G
주문 코드1879962RL
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id46A
Drain Source On State Resistance0.016ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation52W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (17-Jan-2022)
제품 개요
The NTD5865NLT4G is a N-channel Power MOSFET features low gate charge, high current capability and fast switching.
- 100% Avalanche tested
- ±20V Gate-source voltage
- 2.1°C/W Junction-to-case (drain) thermal resistance
- 49°C/W Junction-to-ambient thermal resistance
애플리케이션
Power Management
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
46A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
52W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (17-Jan-2022)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.016ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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3개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (17-Jan-2022)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000378