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NTHD4102PT1G
Dual MOSFET, P Channel, 20 V, 20 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.064 ohm
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NTHD4102PT1G
주문 코드2533189RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2.9A
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
On Resistance Rds(on)0.064ohm
Continuous Drain Current Id N Channel2.9A
Continuous Drain Current Id P Channel2.9A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.064ohm
Rds(on) Test Voltage4.5V
Drain Source On State Resistance P Channel0.064ohm
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Transistor Case StyleChipFET
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd1.1W
Power Dissipation N Channel1.1W
Power Dissipation P Channel1.1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
기술 사양
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id
2.9A
On Resistance Rds(on)
0.064ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
2.9A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.064ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.064ohm
Transistor Case Style
ChipFET
Power Dissipation Pd
1.1W
Power Dissipation P Channel
1.1W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
2.9A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
1.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000056