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NTHL032N065M3S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 51 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-247
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NTHL032N065M3S
주문 코드4583072
Product RangeEliteSiC Series
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id51A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.044ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation200W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
제품 개요
NTHL032N065M3S is a 650V M3S planar SiC MOSFET in a 3 pin TO-247 package. It is optimized for fast switching applications. Planar technology works reliably with negative gate voltage drive and turn off spikes on the gate. This family has optimum performance when driven with 18V gate drive but also works well with 15V gate drive. Typical applications include SMPS, solar inverters, UPS, energy storages, EV charging infrastructure.
- Drain to source voltage is 650V, maximum drain current is 51A
- Typical RDS(ON) = 32mohm at VGS = 18V
- Ultra low gate charge QG(tot) = 69nC
- High speed switching with low capacitance (Coss = 114pF)
- 100% avalanche tested
- Operating junction temperature range from -55 to +175°C
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
51A
Drain Source On State Resistance
0.044ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
200W
Product Range
EliteSiC Series
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001