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NTMTSC002N10MCTXG
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 236 A, 0.0017 ohm, DFNW, Surface Mount
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NTMTSC002N10MCTXG
주문 코드3588875RL
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id236A
Drain Source On State Resistance0.0017ohm
Transistor Case StyleDFNW
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation255W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
236A
Transistor Case Style
DFNW
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
255W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0017ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0001