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NVHL040N120SC1
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 60 A, 1.2 kV, 0.056 ohm, TO-247
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NVHL040N120SC1
주문 코드3464026
Product RangeEliteSiC Series
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.056ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max4.3V
Power Dissipation348W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead (27-Jun-2024)
제품 개요
- Silicon carbide (SiC) MOSFET
- 100% UIL tested, AEC-Q101 qualified and PPAP capable
- Drain-to-source on resistance is 39mohm (typ, VGS = 20V, ID = 35A, TJ = 25°C
- Reverse transfer capacitance is 12pF (typ, VGS = 0V, f = 1MHz, VDS = 800V)
- Continuous drain current RJC is 60A (maximum, TC = 25°C, steady state)
- Gate to source leakage current is ±1µA (max, VGS = +25/-15V, VDS =0V)
- Power dissipation is 348W (VGS = +25/-15V, VDS =0V)
- Rise time is 41ns (typ, VGS = -5/20V, VDS = 800V, ID = 47A, RG = 4.7ohm, inductive load)
- Reverse recovery time is 24ns (typ, VGS = -5/20V, ISD = 47A, dIS/dt = 1000A/ s)
- Operating and storage junction temperature range from -55 to +175°C, TO247-3L package
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source On State Resistance
0.056ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.3V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
348W
Product Range
EliteSiC Series
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.002