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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NVJD4401NT1G
주문 코드2929791RL
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Continuous Drain Current Id630mA
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel630mA
On Resistance Rds(on)0.29ohm
Continuous Drain Current Id P Channel630mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.29ohm
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel0.29ohm
Rds(on) Test Voltage4.5V
Transistor Case StyleSOT-363
Gate Source Threshold Voltage Max920mV
Power Dissipation Pd550mW
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel550mW
Power Dissipation P Channel550mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id
630mA
Continuous Drain Current Id N Channel
630mA
Continuous Drain Current Id P Channel
630mA
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
920mV
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
550mW
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
On Resistance Rds(on)
0.29ohm
Drain Source On State Resistance N Channel
0.29ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.29ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation Pd
550mW
Power Dissipation N Channel
550mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0003