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NVMFD5C466NLT1G
Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 40 V, 52 A, 52 A, 0.0062 ohm
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NVMFD5C466NLT1G
주문 코드2835602RL
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Continuous Drain Current Id52A
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
On Resistance Rds(on)0.0062ohm
Continuous Drain Current Id N Channel52A
Continuous Drain Current Id P Channel52A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0062ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Drain Source On State Resistance P Channel0.0062ohm
Transistor Case StyleDFN
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd40W
Power Dissipation N Channel40W
Power Dissipation P Channel40W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (27-Jun-2024)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Continuous Drain Current Id
52A
On Resistance Rds(on)
0.0062ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
52A
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0062ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
Power Dissipation Pd
40W
Power Dissipation P Channel
40W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
52A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0062ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
DFN
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
40W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000012